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NTMSD3P102R2
TYPICAL SCHOTTKY ELECTRICAL CHARACTERISTICS
0.7
SQUARE
dc
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
I pk /I o = p
I pk /I o = 5.0
I pk /I o = 10
I pk /I o = 20
WAVE
0
0.5
1.0
1.5
2.0
I O , AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
Figure 20. Forward Power Dissipation
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
NORMALIZED TO R q JA AT STEADY STATE (1 ″ PAD)
0.01
0.02
0.01
0.0031 W
CHIP
JUNCTION 0.0014 F
0.0154 W
0.0082 F
0.1521 W 0.4575 W 0.3719 W
0.1052 F 2.7041 F 158.64 F
SINGLE PULSE
AMBIENT
0.001
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02 1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
t, TIME (s)
Figure 21. Schottky Thermal Response
http://onsemi.com
8
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